檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="二硫化鉬"
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本論文主要探討二硫化鉬(MoS2) 層狀半導體單晶之p型摻雜與表面鈍化製作。實驗上以離子佈植(ion implantation)方式，將具有表面電子聚集的原始表面之二硫化鉬 (簡稱non-fresh…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成，利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中，探討靶材中不同Ag含量比例，不同硫化物與…
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬，透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析，結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…